Demo Lab.加工事例

日本エンギスが提供する
トータル・ラッピング/
ポリッシング・ソリューション

総合的な
ソリューションを提供

当社の中核となるデモラボは日々、多種多様のニーズにお応えできるよう活動を行っています。

研磨加工の
デモンストレーション

研磨後の評価を瞬時に行えるように、測定設備を完備しているため、お客様のご要望に応じた最適な加工条件を直ちに見つけることができます。

経験豊富なスタッフが導入の
サポートについて御説明

システムのご検討から納入後まで、お客様の使用目的や設置環境にあわせて、最適なシステムとプロセスをご提案いたします。

Case.01ダイヤモンドラッピング
システム
Case.02化合物半導体の貼付、
研削およびCMP加工
Case.03炭化ケイ素薄肉研削加工
Case.04三次元形状の研磨加工

Case.01

ダイヤモンドラッピングシステム

超精密ラッピング装置と呼ぶのに欠かせないラップ盤修正装置はラップ盤の全領域にわたり高精度な平面形状を成形します。高精度な平面と鏡面加工を要する光学原器、平面金型、そして機械部品等の平面加工には絶対的な平面精度と安定した鏡面を保つダイヤモンドラッピングシステムが幅広い分野で採用されております。

Process研磨工程と方法

メカニカルシールの平面加工

加工物：メカニカルシール
材質：DLC（ダイヤモンドライクカーボン）
研磨装置：EJW-400IFN
消耗品：3ミクロンダイヤモンドスラリー/ハイプレス銅
加工時間：10分
平面度≦0.5μm

金型の平面出し・鏡面加工

加工物：光ディスク金型
材質：SUS420
研磨装置：EJ-380IN
研磨盤：パイプレス銅 >>> 530Nパッド
スラリー：3μm >>> HCL-XL
加工条件：ラッピング20分、ポリッシュ5分
平面度：0.3μm / 表面粗さ＜1nmRa

Case.02

化合物半導体の貼付、研削およびCMP加工

化合物半導体であるInP, GaAs, GaSb等は、高周波デバイス、発光デバイス、パワーデバイスに活用されております。
チップ工程の前工程となる薄肉研磨工程はウエハボンディング、研削加工、ポリッシング加工を経て板厚100µm以下、スクラッチ、クラック、ストレスフリーのウエハに仕上げます。

Process研磨工程と方法

InP薄肉研磨加工例

1. ボンディング工程

半自動ボンディング装置
MODEL：EBM-200HCD
接着加工
ガラス等の基材上にウエハをムラなく高精度に貼り合わせます。
加工精度例
ワックス厚：1~3µm
接着バラツキ（TTV）＜1µm

2. 研削工程

立形研削装置
MODEL：HVG-250ADM
研削加工
ウエハの板厚精度、バラツキを制御し表面粗さを向上させます。
加工精度例
表面粗さ＜10nmSa
板厚：120µm
厚さバラツキ（TTV）＜1μmm

3. CMP工程

CMP装置
MODEL：EJW-460I-2ALD-D
CMP加工
ウエハ表面の研削加工による研削痕と残留応力をCMPで除去します。
加工精度例
表面粗さ＜0.5nmRa
ストレスフリー

Case.03

炭化ケイ素薄肉研削加工

近年、省エネルギー化や低炭素化の実現に向け、電力変換の高効率化が必要不可欠であり製品化が加速しております。
その代表格となっているSiCパワー半導体デバイスの更なる研磨加工技術の高品位、高能率化が期待されている中で、新製品 2軸研削盤HVG-300DSOの砥石軸に高出力モータを搭載した研削加工とHYPREZ ポリッシング装置を用いた最新研磨加工技術の事例をご紹介いたします。

Process研磨工程と方法

SiC薄肉研磨加工例

1. 研削工程

2軸立形研削装置
MODEL：HVG-300DSO
研削加工
ウエハの板厚精度、バラツキを制御し表面粗さを向上させます。
加工精度例
表面粗さ＜1nmRa
板厚：120µm
厚さバラツキ（TTV）＜1µm

2. 研磨工程

3軸ポリッシング装置
MODEL：EJW-910I-3ALD-D
研磨加工
ウエハ表面の研削加工による残留応力の除去をダイヤモンド砥粒もしくはCMPスラリーを用いておこなう。
加工精度例
表面粗さ＜0.5nmRa
ストレスフリー

Case.04

三次元形状の研磨加工

長年培ったラッピング技術の豊富な経験と知識を活かし、油圧ポンプ部品の擦り合わせ作業を機械化した球面研磨装置「EJ-380ISR-TETRA」（テトラ）の独自開発に成功しました。この革新的な球面研磨装置テトラを使用すれば、斜板型アキシャルピストンポンプの心臓部であるシリンダーブロックとバルブプレートの合わせ面を研磨するために採用されていた「擦り合わせ作業」を機械化することができます。